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DMN3150LW
8
6
4
2
0
8
6
4
2
0
V DS = 5V
Pulsed
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
0.5
1 1.5 2 2.5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Typical Transfer Characteristics
3
0.16
f = 1 MHz
T A = 25°C
0.12
C iss
V GS = 2.5V
0.08
V GS = 4.5V
V GS = 10V
0.04
C oss
C rss
0
0
2 4 6
8
1.4
1.2
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 3 On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
1.6
1.4
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 Typical Total Capacitance
1.0
0.8
0.6
0.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V GS = 4.5V
I D = 1.6A
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (C)
Fig. 6 Normalized Static Drain-Source On-Resistance
vs. Ambient Temperature
DMN3150LW
Document number: DS31514 Rev. 1 - 2
2 of 4
www.diodes.com
August 2008
? Diodes Incorporated
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